Han logrado desarrollar un método para dopar grafeno utilizando monocapas autoensambladas que modifican la interfaz de grafeno y su sustrato de soporte. Utilizando esta idea un equipo de investigadores del Instituto de Tecnología de Georgia ha creado uniones P-N de grafeno sin dañar la estructura mallada del material o reducir significativamente su movilidad electrón-agujero.
Comentarios
Interesante, porque con eso se puede hacer un diodo. Para hacer un transistor hace falta PNP.
PD: que intenten hacer una unión PwN.